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当VishaySiliconix推出新款M

发布时间:2021-09-11 14:02:42 阅读: 来源:外壳厂家
当VishaySiliconix推出新款M

Vishay Siliconix推出新款MOSFET超低导通电阻

宾夕法尼亚、MALVERN 2010 年 10 月 18 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V配以高精度的丈量放大系统栅极驱动下具有0.38 的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。

SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源,这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

除了低导通电阻,高铁检测仪器公司这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值泡沫颗粒机系数(FOM),这些MOSFET的FOM就地取材只有25.84 -nC。

新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产,该技术为减小通态电阻进行了定制处理,可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比,SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度,并减小了开关损耗。

这些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且经过了完备的雪崩测试,以实现可靠工作。

新款功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的 财富1,000 强企业 ,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)(二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器、传感器及转换器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。(这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备)。凭借产品创新、成功的收购战略,以及 一站式 服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览站 。

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